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3 세대 반도체 재료는 주로 질화 갈륨 (GaN) 과 탄화 규소 (SiC) 등을 포함하고 있는데, 이 중 탄화 실리콘과 질화 갈륨의 결정화 가공 기술은 대규모 생산에서 현저한 성과를 거두었다. 또한 그래핀, 흑인 등 새로운 2 차원 재료의 출현과 산화물 반도체 등 새로운 소재의 개발도 3 세대 반도체의 발전을 가능하게 했다. < /p>
개발 이력: < /p>
1. 초기 개발: 탄화 규소 소재는 19 세기 말부터 발견됐으며 1907 년, ff 와 함께 < /p>
2. 발전 단계: 60 년대 이후 미국 등은 탄화 규소 재료에 대한 심도 있는 연구를 시작하면서 이 재료로 더욱 진보된 무선 설비를 발전시키기를 희망하고 있다. 80, 90 년대에 접어들면서 탄화 실리콘 결정체 성장 기술에 대한 숙달이 시작되면서 탄화 실리콘의 상업화 생산이 이뤄지기 시작했다. < /p>
3. 현대연구: 21 세기 이후 집적 회로, 전력 전자 등에 탄화 실리콘을 적용한 연구가 급속히 진전되어 일련의 파격적인 성과를 거두었다. < /p>
준비 기술: < /p>
1. 기상침착 (CVD) 방법 < /p>
2. 물리적 기상 퇴적 (PVD) 방법: 물리적 기상 퇴적법은 물리적 방법 (예: 증발, 스퍼터링 등) 을 통해 고체 소스에서 기체로 물질을 변환한 다음 라이닝에 퇴적하여 박막 또는 다층막을 생성합니다. < /p>
3. 다발 설사결정 성장 (PECVD) 방법: 저온 플라즈마로 향상된 기상침착은 주로 반응가스를 새로 고치고 플라즈마의 여기 상태의 입자촉매반응을 이용하여 탄화 실리콘막을 생성하므로 고품질의 탄화 실리콘막을 얻을 수 있을 뿐 아니라 저온에서도 성장할 수 있다. < /p>
4. 분자빔 외연 (MBE) 법 < /p>
5. 액상 에피 택셜 성장 (LPE) 법: 액상 탄화 규소 용액을 통해 고온 고압 환경에서 기판을 완벽하게 에피 택셜 성장시킵니다. < /p>
현재 비용, 효율성 및 성능 문제는 탄화 규소 재료 제조에서 극복해야 할 주요 문제입니다. 하지만 과학 연구 기술이 발전함에 따라 이러한 문제들이 해결될 것으로 예상되며, 탄화 실리콘 소재는 전력 전자, 무선 주파수, 광전기 및 기타 분야에서 응용할 수 있는 큰 발전 공간을 가지고 있습니다. < /p >